如何選擇管式爐

從實驗角度提出的管式爐選購建議及技巧：

根據(jù)溫度選擇管式爐

A、選擇工作溫度時，請注意儀器所能保持的高溫度(<1小時)和儀器能連續(xù)工作的溫度(安全、連續(xù)使用的溫度)。

B、儀器使用的加熱元件限制了加熱爐的大工作溫度,目前科晶加熱元件可分為四類:

（1）250 ~ 1250℃ 采用電阻絲加熱元件或紅外燈管加熱元件，高加熱溫度1200℃，長時間使用1100℃，采用K型熱電偶測溫（如果客戶需要也可更換為S熱偶）。

（2）1300 ~ 1600℃ 采用碳化硅加熱元件，采用S型熱電偶測溫。                                          

（3）1600 ~ 1800℃ 采用MoSi2加熱元件（禁止長時間在800℃以下加熱），采用B型熱電偶測溫。

2、根據(jù)樣品大小選擇坩堝→爐管管徑→管式爐

A、坩堝選擇（嚴禁不用坩堝直接將樣品放入常規(guī)爐管）

a.石英坩堝:≤1200℃使用石英管，熱處理溫度超過600℃時，請不要用氧化鋁坩堝。

b.氧化鋁坩堝：≤1800℃使用剛玉管，熱處理溫度超過900℃時，請不要用莫來石坩堝。

c.石墨坩堝：≤ 2300℃

B、管徑的選擇

（1）選擇好坩堝后，根據(jù)坩堝裝載樣品后的體積選擇合適的爐管管徑（一般買爐子會標配有加熱爐管）。

a.石英管 ≤1200℃ （真空環(huán)境下高1000℃）

b.剛玉管  ≤1800℃  （剛玉管不建議真空環(huán)境下使用）

C、科晶管式爐管徑與坩堝尺寸估算表

根據(jù)功能選擇加熱爐

  管式爐為基礎加熱系統(tǒng)，您可以根據(jù)不同的需求選擇成套科晶系統(tǒng)，如CVD、 PECVD、HPCVD、ALD、石墨烯和二維材料生長系統(tǒng)等。

例如：

（1）生長石墨烯/PECVD系統(tǒng)，整個系統(tǒng)包括加熱爐系統(tǒng)、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、通風系統(tǒng)、氫氣報警系統(tǒng)。

（2）立式管式爐：加熱管垂直放置，以懸吊樣品的方式，為樣品提供淬火。

（3）RTP(快速熱處理加熱爐):可以對樣品進行快速加熱和快速冷卻。

例如：

a.快速退火管式爐，快50℃/s升溫速度，紅外燈管加熱。

b.迷你型快速加熱冷卻爐，加熱爐加熱到某一溫度后，滑至樣品所在區(qū)域，可以提高升溫速度，熱處理結束，將爐體移開，使樣品所在區(qū)域暴露在爐膛外快速冷卻。（4）高溫高壓爐/真空爐:特殊設計的鎳鉻合金和不銹鋼爐管，對樣品進行高溫高壓和真空處理。

（4）高溫高壓爐/真空爐:特殊設計的鎳鉻合金和不銹鋼爐管，對樣品進行高溫高壓和真空處理。

（5）旋轉管式爐:爐管旋轉式結構可以更均勻的熱處理粉末，同時也可以達到粉末均勻包覆的效果。

（6）氫氣爐/氣氛爐:氫氣處理或其他危險氣體的實驗，請和銷售技術人員提前說明。不建議使用普通管式爐做危險實驗。