硅鉬棒詳細說明簡介
硅鉬棒阻性電熱元件，以二硅化鉬為基礎制成，耐高溫、抗氧化的。在高溫氧化性氣氛下使用時，表面生成一層光亮致密的石英（SiO2）玻璃膜，能夠保護硅鉬棒內層不再氧化，硅鉬棒元件具有*的高溫抗氧化性。
中   文   名 ：        硅鉬棒
成    分 ：              二硅化鉬
特    性 ：              耐高溫、抗氧化
性    質 ：              阻性電熱元件
原    理 ：              高溫下生成石英（SiO2）玻璃膜
分    子  式 ：        MoSi2
概述
硅鉬棒阻性電熱元件是一種以二硅化鉬為基礎制成的耐高溫、抗氧化的電阻發(fā)熱元件。在高溫氧化性氣氛下使用時，表面生成一層光亮致密的石英（SiO2）玻璃膜，能夠保護硅鉬棒內層不再氧化，因此硅鉬棒元件具有*的高溫抗氧化性。
在氧化氣氛下、高使用溫度為1800℃，硅鉬棒電熱元件的電阻隨著溫度升高而迅速增加，當溫度不變時電阻值穩(wěn)定。在正常情況下元件電阻不隨使用時間的長短而發(fā)生變化，因此，新舊硅鉬棒電熱元件可以混合使用。
根據(jù)加熱設備裝置的結構、工作氣氛和溫度，對電熱元件的表面負荷進行正確地選擇，是硅鉬棒電熱元件的使用壽命的關鍵。
化學符號
      分子式：MoSi2
理化性能
密度：5.6～5.8g/cm3
抗彎強度：20MPa(20℃)
維氏硬度(HV)：570kg/mm2
氣孔率：0.5～2.0%
吸水率：0.5%
熱伸長率：4%
輻射系數(shù)：0.7～0.8(800～2000℃)
產(chǎn)品應用（馬弗爐）
硅鉬棒電熱元件產(chǎn)品廣泛應用于冶金、煉鋼、玻璃、陶瓷、耐火材料、晶體、電子元器件、半導體材料的研究、生產(chǎn)制造等領域，特別是對于高性能精密陶瓷、高等級人工晶體、精密結構金屬陶瓷、玻璃纖維、光導纖維及合金鋼的生產(chǎn)。
硅碳棒為非金屬電熱元件，是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料，經(jīng)2200℃高溫再結晶制成的，正常使用溫度可達1450℃，合理使用條件下，連續(xù)使用超過2000小時，在空氣中使用，不需要任何保護氣氛。適用于各種電爐電窯。
硅鉬棒具有高抗氧化性，在高溫氣氛下，原件的表面生成一層致密的石英SIO2保護層以防止MOSI2繼續(xù)氧化。當元件溫度大于1700度、熔點1710度的SIO2保護層熔融，由于表面張力的作用，SIO2熔聚成滴，而失去保護作用。元件在氧化氣氛下在繼續(xù)使用時，SIO2保護層重新生成 。
硅碳棒用途:由于硅碳棒使用溫度高,具有耐高溫、抗氧化,耐腐蝕、升溫快、壽命長、高溫變形小、安裝維修方便等特點。有良好的化學穩(wěn)定性。
若與自動化供電系統(tǒng)配套,既可得到的恒定溫度,又可根據(jù)生產(chǎn)工藝的實際需要按曲線自動調溫。現(xiàn)已廣泛應用于國防、機械、冶金、輕化、陶瓷、半導體、分析化驗、科學研究等領域,成為各種電爐電窯的電加熱元件.隧道窯、輥道窯、玻璃窯爐、真空爐、馬弗爐、冶煉爐以及各類加熱設備,使用硅碳棒加熱既方便,又安全可靠。被廣泛用于電子、磁性材料、粉末冶金、陶瓷、玻璃、冶金和機械等工業(yè)的多種高溫電爐，電窯。及其電加熱設備上．
產(chǎn)品由來
硅鉬棒中的硅是一種化學元素，它的化學符號是Si，舊稱矽。原子序數(shù)14，相對原子質量28.09，有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體，屬于元素周期表上IVA族的類金屬元素。硅也是極為常見的一種元素，然而它極少以單質的形式在自然界出現(xiàn)，而是以復雜的硅酸鹽或二氧化硅的形式，廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。硅在宇宙中的儲量排在第八位。在地殼中，它是第二豐富的元素，構成地殼總質量的25.7%，僅次于位的氧（49.4%）。
硅鉬棒中的硅名稱的由來，來自拉丁文的silex,silicis，意思為燧石（火石）。 初期，學者原將此元素譯為“硅”而令其讀為“xi（圭旁確可讀xi音，如畦字）”（又，“硅”字本為“砉”字之異體，讀huo）。然而在當時的時空下，由于拼音方案尚未推廣普及，一般大眾多誤讀為gui。由于化學元素譯詞除中國原有命名者，多用音譯，化學學會注意到此問題，于是又創(chuàng) “矽”字避免誤讀。中國臺灣沿用“矽”字至今。
1787年，拉瓦錫發(fā)現(xiàn)硅存在于巖石中。然而在1800年，戴維將其錯認為一種化合物。1811年，蓋-呂薩克和Thénard可能已經(jīng)通過將單質鉀和四氟化硅混合加熱的方法制備了不純的無定形硅。1823年，硅作為一種元素被貝采利烏斯發(fā)現(xiàn)，并于一年后提煉出了無定形硅，其方法與蓋-呂薩克使用的方法大致相同。他隨后還用反復清洗的方法將單質硅提純。
加熱元件
1600℃電爐加熱元件為硅鉬棒，硅鉬棒的注意事項
1.硅鉬棒加熱元件，不應該在400℃至700℃溫度范圍內使用，因此在此不利條件下，元件將會發(fā)生低溫氧化致使元件毀壞。
2.硅鉬棒加熱元件適宜在空氣、中性氣氛中使用，還原性氣氛如氫氣等會破壞保護層，氯和硫的蒸汽對元件有直接的損害。
安裝（自由垂直的吊掛安裝）
硅鉬棒在高溫時(1500度以上)有些軟化，低溫時又硬又脆，為了避免溫變時產(chǎn)生應力，有利于元件的熱脹冷縮，采用自由垂直的吊掛安裝方法。吊裝元件的拆換也較方便，不必等爐子冷下來，而可以熱換。
　　吊掛硅鉬棒時必須注意下列事項:
　　1) 爐襯材料應用剛玉磚，其Fe2O3的質量分數(shù)應小于1%，因為它與保護膜相互作用形成易熔的硅酸鹽，從而加速元件的破壞。
　　2)冷端部泄漏的熾熱爐氣，不僅增加爐子的熱損失，甚至會燒壞導電帶夾頭和引線夾子，因此，采用石棉夾頭。
　　3)因硅鉬棒是脆性材料，抗彎強度低，不能承受碰擊，在安裝過程中應采取防護措施，以防折斷。連接導電帶時，必須先將石棉夾頭(或瓷夾頭)安裝好，夾緊時用力不能過大。
　　4)將硅鉬棒裝進塞磚，為了避免因裝卸移動而產(chǎn)生的機械應力，塞磚要用泡沫剛玉磚制成的單獨磚塊。
　　5)將裝有硅鉬棒的塞磚插入爐頂準備好的空檔中,塞磚要突出于爐頂?shù)耐饷?，這樣便于拆卸。
　　6)將導電帶同早已準備好的連接支架相連接，但應避免導電帶緊張和不自然的扭曲機械應力。
　　7)為了避免石棉夾頭因熱脹冷縮而可能使硅鉬棒下垂變形，可用水玻璃拌合的耐火泥漿涂在連接處，以便固定牢靠。
　　8)吊裝時發(fā)熱部的錐體交界處與爐墻相距約25mm-3omm，冷端部應露出爐頂外面75mm，其發(fā)熱部的下端到爐底應不小于50mm。
　　9)硅鉬棒在爐內的間隔應不小于元件本身的中心間距。
　　10)吊裝時必須注意兩個冷端部和接線部分的重力平衡，否則會造成發(fā)熱部產(chǎn)生彎曲變形。
 此文轉摘，如需刪除請告知